尽管博浪在国内的宣传比较简单，只是一些简报和官网信息更新，但好事者发觉后依旧引发了热议。
无数卧槽刷屏网络空间。
哪怕网友们已经越来越习惯博浪的大手笔，哪怕对博浪最近的动静已经有所准备，网友们仍然被惊到了。
因为从去年星海1横空出世，在芯片上表现十分出色以来，国内各种自媒体没少营销晶圆厂、光刻机等等。
里面间或有一些海外来客或者湾湾来客带节奏。
所以，国内网友忽然对这一个遥远的工业领域非常关注，并各个专业了。
有关话题下面，动不动甩出duv、euv这种英文缩写，要么就甩中文‘深紫外极紫外’。
再有就是甩出asl、台积电，n、arf、浸入式、干式。
也会甩一点相对更装逼的东西，如工艺制程的排序标准，提到从11年开始兴起的新型晶体管结构fi(鳍式场效应晶体管)以来，工艺制程的n数值开始笼统的以上代工艺x07得出。
提到现在吵得热热闹闹的20n不过是28n乘以07得来，而晶体管的最小间距并未缩小那么多。
事实上从fi技术兴起之后，各类工艺制程标准逐渐以商业营销导向为基础再加上单位面积晶体管数来定义。
最典型的例子就是英特尔的14n+++从单位面积晶体管数、基础尺寸等角度来看，跟台积电、三星的7n差距非常微小。
因为fi这种晶体管结构属于3d化，最小间距的减少开始变得很缓慢，而3d化后晶体管数量仍然在激增，厂商如果单纯沿用原有的摩尔定律缩小一半为工艺升级则显现不出技术进步，于是以一种假设的二维尺寸缩小一半来定义，然后命名规则逐渐厂商化。
所以所谓摩尔定律会死一说，比较难。
哪怕是后来宣传的3n、2n工艺，仍然只是5x07等于35≈3n，3x07等于21≈2n来命名。
实际上台积电在7n时期最小金属间距是40n，5n时期大概是36n，3n预计是30~32n这样子，距离1n的物理极限还有不小的空间。
反正厂商营销需要，与实际的科研极限是存在一些差距的。