光刻掩模工艺。
1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》。
1977年，我国最早的光刻机-gk-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机。
1978年，1445所在gk-3的基础上开发了gk-4，但还是没有摆脱接触式光刻机。
1980年，清华大学研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平。
1981年，华夏科学院半导体所研制成功jk-1型半自动接近式光刻机。
1982年，科学院109厂研制出了kha-75-1光刻机，这些光刻机在当时的水平均不低，最保守估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年。
1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到米国4800dsw的水平。这应当是华夏第一台分步投影式光刻机，华夏在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。
南广林的脑子就像一部计算机，上面这些数据被他如数家珍的一一道出。
他的声音变得越来越低沉，“只可惜进入九十年代后，我国光刻机光源长时间被卡在193纳米无法进步，这个技术非常关键……而且在八十年代，我国和米国的关系得到改善，很多过去对我们限制的高科技产品，现在都可以卖给我们了，国外的光刻机产品，性价比远高于自我研发，我国光刻技术的研发和产业化实质上放弃了自主攻关。”
“小东，你的心情我能理解，之前我说过，如果我们搞芯片研发，资金要以千万为单位计算，但是如果搞光刻机的话，直接就要以亿为单位了。”
“现在国际上生产光刻机最强的国家是霓虹国，尼康听说过吗？我们国家在193纳米这个指标上被卡住多年了，而尼康现在已经采用157n的 f2激光，至少领先我们二十年。小东，就算你有钱，但作为长辈和朋友，我劝你一句，光刻机还是不要碰为好，它会让你倾家荡产。”
南广林的话语重心长，可谓是掏心窝子说的。
韩小东微微一笑，“南工，今年八月份我送燕晓去康奈尔大学……”
南广林见他突然